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CRY62(TE85L,Q,M)相关型号
Toshiba(东芝)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • CRY62(TE85L,Q,M)

  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号:19+
  • 描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)6.2V
  • 容差±9.68%
  • 功率 - 最大值700mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)60 Ohms
  • 不同Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 3V
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 200mA
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装S-FLAT(1.6x3.5)

其它信息

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