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TK60S06K3L(T6L1,NQ相关型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

TK60S06K3L(T6L1,NQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

描述：MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3

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库存数量：2000+

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详细参数

包装标准卷带
系列U-MOSIV
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）60nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）88W（Tc）
工作温度175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK+
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

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